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电子束直写系统 EBPG5150
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EVG电子束直写系统 EBPG5150
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电子束光刻系统EBL (E-Beam Lithography) 电子束直写系统 EVG半导体检测仪
电子束光刻系统EBL(E-BeamLithography)是微纳电子器件制作中的重要技术之一,日本CRESTEC公司生产的CABL-9000C系列、CABL-9000TF系列、8000TF系列
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电子束直写系统 EBPG5150EVG
(5150可曝光面积6英寸、5200可曝光面积8英寸)的高深宽比纳米结构曝光、高速电子束直写,适合防伪标识的加工及化合物半导体器件的高速加工。电子束直写系统EBPG5150使用了155mm大小的样品台
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半导体检测仪EVG
基板(5150可曝光面积6英寸、5200可曝光面积8英寸)的高深宽比纳米结构曝光、高速电子束直写,适合防伪标识的加工及化合物半导体器件的高速加工。电子束直写系统EBPG5150使用了155mm大小的
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半导体检测仪电子束光刻系统EBL (E-Beam Lithography) 电子束直写系统 CABL-9000C series
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四轴飞秒激光直写系统
四轴飞秒激光直写系统Spearay-4Axis 系统是针对管状材料精密切割设计的,利用一维高精度旋转轴、两维扫描振 镜、三维XYZ 精密定位系统,结合超快激光微加工特点,能够实现薄壁管材的精密
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电子束光刻系统EBL (E-Beam Lithography) 电子束直写系统
电子束光刻系统EBL (E-Beam Lithography) 电子束直写系统 、 电子束曝光系统 CABL-9000C series
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多功能电子束曝光机
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EVGPIONEER Two半导体检测仪
高速直写。适合衍射光学元件、防伪元件的加工及化合物半导体器件的高速加工。在HSQ胶上制作亚7nm线条。(五). 专业型电子束光刻设备EBPG5150/5200:EBPG5150/5200采用
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